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3dg6晶体管默认电压_3dg6晶体管参数 rbe

嘉兴2024-09-17电压问答29

各位访客大家好!今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于3dg6晶体管默认电压的问题，于是小编就整理了几个相关介绍的解答，让我们一起看看吧，希望对你有帮助

DG6C NPN 6 通用 20V20mA0.1W250MHz 3DG6D NPN 6 通用 30V20mA0.1W150MHz 可用市场上基本都有买的9019019018050，2N5551小功率NPN型高频三极管代换；也可用3DG12C是NPN型高频中功率三极管代换。

DG6和3DG12的三极管为硅NPN管，可以用9014 3DD15A为早期国产NPN低频大功率管，可以用2SC2022SC2802SC2892SC4622SC3830、2SC3832等参数略优的塑封三极管来直接代换。

这个估计是20多年前的电路了。3DG6是小功率的硅NPN三极管，3DG12是中功率的硅NPN三极管，最大功耗300mW。你可以使用现代很多的三极管取代之，特别是这种门铃应用的电路中，要求非常之低。0.01uF就是103。

三极管3DG6中3表示三极管，D为NPN型硅材料，G为高频小功率管，6为三级管的参数。所以总节来说是以NPN型硅为材料，高频小功率，参数为6的三极管。三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

DG6三极管是：NPN型硅高频小功率三极管。NPN型三极管，由三块半导体构成，其中两块N型和一块P型半导体组成，P型半导体在中间，两块N型半导体在两侧。三极管是电子电路中最重要的器件，它最主要的功能是电流放大和开关作用。

DG6是国产老型号等于现在的标准型号3DG100.国产的3DG10101111 ；日本型号2SC1811818280 ；美国型号2N7777787983957 、5581 ；一般来说只要是硅材料NPN型高频小功率三极管都可代换。

：代表三极管，D：代表NPN硅，G：代表高频，从此就可以得出3DG6的三极管为硅NPN管。

DG6是国产的小功率硅NPN型三极管。型号中的D表示该管为NPN管，G表示该管为高频小功率管。其Pcm=100mW、Icm=20mA，性能参数很一般。你可以用现在常用的9014三极管直接代换。

国产的3DG10101111 ；日本型号2SC1811818280 ；美国型号2N7777787983957 、5581 ；一般来说只要是硅材料NPN型高频小功率三极管都可代换。 3DG6极限参数25V 50mA。

dg6是国产npn高频小功率三极管，用2sc1815代替，最常见的一种。

DG6C：20V，20mA，100mW，300MHz。

DG6D 的最大工作电压大约30V，Icm=20mA，β值在25~270 ，临界饱和导通压降Uces≤0.35V 则 1）Vcc≤30V；2）Icm=20mA，则管子处于临界饱和导通时Icm=(Vcc-Uces)/Rc，所以Rc==(Vcc-Uces)/Icm≈30/20=15kΩ。

B检测10PF～001μF固定电容器是否有充电现象，进而判断其好坏。万用表选用R×1k挡。两只三极管的β值均为100以上，且穿透电流要些可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。

晶体管放大电路中最大不失真电压Uom（有效值）的求法：最大不失真电压Upp（峰值）/ 414 = Uom。最大不失真电压Upp（峰值）：理想状态下，不考虑三极管的饱和压降，可以将电源电压看作可以输出的最大不失真电压。

Uce(cr)=[Rc/(2Rc+Re)]Ucc=[20/(2×20+1)×12V≈9V 调试时只要改变Rb2，使集电极-发射极偏置电压达到应有的9V就行。此是空载情况。若还有疑问，请找元增民《模拟电子技术》看8节。

DD13009K 是NPN双极型大功率晶体管，制造中采用的主要工艺技术有：高压平面工艺技术、三重扩散技术等，并且采取了能够最大限度的兼顾电流容量与耐电冲击性的发射区网格的横向设计。

UCC3895是采用BCDMOS工艺制作的移相全桥PWM控制器，最高工作频率可以达到1MHz。该控制器将定频PWM技术与零电压开关技术结合在一起，使变换器在高频下的转换效率大大提高。

小伙伴们，上文介绍3dg6晶体管默认电压的内容，你了解清楚吗？希望对你有所帮助，任何问题可以给我留言，让我们下期再见吧。