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电压问答

硅n沟道MOSFET计算阈值电压

嘉兴2024-06-24电压问答12

朋友们,你们知道硅n沟道MOSFET计算阈值电压这个问题吗?如果不了解该问题的话,小编将详细为你解答,希望对你有所帮助!

nMOS管栅极电压

1、第二注意的是,普遍用于高端驱动的NMOS,导通时需要是栅极电压大于源极 电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同,所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里,要得到比VCC大的电压,就要专门的升压电路了。

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2、MOS管的导通条件取决于栅极和源极之间的电压。当栅极和源极之间的电压大于阈值电压时,MOS管会导通。在N沟道MOS中,当栅极电压高于源极电压加上阈值电压时,NMOS管导通;而在P沟道MOS中,当栅极电压低于源极电压减去阈值电压时,PMOS管导通。

3、在场效应管之中,Vgs产生的电场能控制从S到D的电导。你说的栅和漏之间的电压,就是漏和源电压减去栅和源之间的电压了。在这里要以S作为基准点才对。所以,Vgs的电压能够控制S-D电导,电压越高,电导越大。并且Vsd越高,Isd也就越高。

4、其次,RDSN是漏源电阻,表示漏极和源极之间的电阻。当MOS管处于导通状态时,RDSN的大小会影响漏极电流的大小。一般来说,RDSN越小,漏极电流越大,MOS管的导通能力越强。然后,我们需要理解栅极电压对RDSN的影响。当栅极电压增加时,导电沟道的宽度增加,使得漏极和源极之间的电阻减小,即RDSN减小。

5、沟道消失时的栅-源电压称为夹断电压,仍用VP表示。与N沟道结型场效应管相同,N沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP也为负值,但是,前者只能在vGS0的情况下工作。而后者在vGS=0,vGS0,VPvGS0的情况下均能实现对iD的控制,而且仍能保持栅-源极间有很大的绝缘电阻,使栅极电流为零。

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6、当栅极和源极加上超过门限电压的电压的时候,漏源极才能处于导通状态。不同的MOSFET,门槛电压不一样,一般设计栅源极电压在15V左右,特别在作为开关管运用的时候。

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