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电阻知识

场效应管导通电阻_场效应管导通电阻判断真假

嘉兴2024-06-24电阻知识6

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场效应管的一个参数;漏源导通电阻要怎么计算和测量?

输出特性曲线上查得,另一法是饱和状态变化漏级负载电阻测Vsd变量除以变化电流得出的就是导通电阻。

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MOSFET的导通电阻 Ron=δVds/δId|(Vds很小) = 1/[β(Vgs-VT)] ,实际上,线性区的漏电导正好等于导通电阻Ron的倒数; 如果是电流饱和区,则交流电阻近似为无穷大,直流电阻也是很大的。

Ron=1/[β(Vgs-VT)]。mos管漏源导通电阻的计算公式为:Ron=1/[β(Vgs-VT)]。其中,Vgs是MOS管的栅源电压,VT是MOS管的阈值电压,β是MOS管的放大倍数。mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。

具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G。

判定源极S、漏极D:在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极.用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极。mos管,即在集成电路中绝缘性场效应管。

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