电阻能用什么代替

哈喽！相信很多朋友都对电阻用pmos替代不太了解吧，所以小编今天就进行详细解释，还有几点拓展内容，希望能给你一定的启发，让我们现在开始吧！

什么是pmos和nmos?

G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。

PMOS的值不同。（1）、增强型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面没有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压大于0；PMOS，小于0。（2）、耗尽型：栅极与衬底间不加电压时，栅极下面已有沟道存在，也就是说，对于NMOS，阈值电压小于0；PMOS，大于0。原理不同。

NMOS和PMOS的版图区别在于PMOS要形成P沟道（PNP），所需载流子为空穴，开关速度慢。NMOS要形成N沟道（NPN），所需载流子为电子e，开关速度快。NMOS为N型金属—氧化物—半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管。

也就是PMOS，NMOS组成，NMOS是指沟道在栅电压控制下p型衬底反型变成n沟道，靠电子的流动 PMOS是指 n型 p沟道，靠空穴的流动 CMOS相比Bipolar，优点就是其功耗低，集成度高等等。

金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC双极性晶体管的输出特性曲线形状与MOS器件的输出特性曲线相似，但线性区与饱和区恰好相反。

MOS开关有：cmos pmos nmos rcmos rpmos rnmos 这类门用来为单向开关建模。即数据从输入流向输出，并且可以通过设置合适的控制输入关闭数据流。pmos(p类型MOS管)、nmos(n类型MOS管)，rnmos(r代表电阻)和rpmos开关有一个输出、一个输入和一个控制输入。

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